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各种RAM、Flash及EEPROM

[size=3][color=darkred][b]SRAM：[/b][/color][/size]
[size=3]  [color=darkslateblue]Static Random Access Memory 静态随机存储器。[/color][/size]
[size=3][color=black]  利用双稳态触发器来保存信息的，只要不断电，信息是不会丢失的，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，所以谓之静态。[/color][/size]
[size=3][color=black]   优点：节能、速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
   缺点：集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。[/color][/size]
[size=3][color=navy][b]  SRAM的分类：[/b][/color][/size]
[size=3][color=darkslateblue]  [b]1.DDR SRAM：[/b](Double Data Rate SRAM) 双倍数据率SRAM，是一种高端SRAM。[/color][/size]
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[size=3][color=#483d8b][color=darkslateblue][size=3]  [b]2.QDR/QDR-II：[/b](Quad Data Rate SRAM) [color=darkslateblue]四倍数据速率SRAM，它是一种高端SRAM。也可称为2 字(对应于QDR)或4 字(对应于QDR-II)突发四倍数据速率SRAM。[/color][/size][/color]
[color=darkslateblue][size=3][color=darkslateblue]    [/color][color=black]QDR SRAM 器件为满足更高的带宽存储要求而开发，以网络和电信应用为目标。基本 QDR 架构具有独立的读、写数据通路，便于同时操作。每个时钟周期内，两个通路均使用双倍数据速率发射发出两个字，一个在时钟上升沿发出，一个在时钟下降沿发出。结果，在每个时钟周期内会传输四个总线宽度的数据（两个读和两个写），这就是四倍数据速率的由来。QDR I 和 QDR II 的规范由 QDR 联盟（Cypress、IDT、NEC、Samsung 和 Renesas）共同定义和开发，这个结构是专为应付带宽需求极大的应用而设计。 [/color][/size][/color]
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[/color][/size][/color][/color][/size][size=3][color=darkslateblue][b]  3.Sync SRAM：[/b]同步SRAM，其工作时钟与系统同步，Intel推出的430LX，430NX，430FX等支持奔腾的主板芯片组都支持它。[/color][/size]
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[color=darkslateblue][size=3][b]  4.ZBT/NoBL[/b]：(Zero Bus Turnaround/No Bus Latency SRAM)，零总线周转期/无总线等待静态存储器，是一种高速同步SRAM。[/size][/color]
[color=black][size=3]    ZBT是Micron Technology, Integrated Device Technology和Motorola开发的同步存储技术，消除了空闲总线转换周期，提供100%的总线利用率。在读周期与写周期切换的时候不需要变换周期，用于对性能要求高的联网设备是非常理想的，因为这种存储器能最大限度地减少系统总线的分时压力，使效率得到百分之百的发挥。[/size][/color]
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[size=3][color=darkred][b]DRAM：[/b][/color][/size]
[size=3][color=#000000]  [color=darkslateblue]Dynamic Random Access Memory动态随机存储器(最为常见的就是计算机的内存)[/color][/color][/size]
[size=3][color=darkslateblue]  DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。所谓动态就是指其动态刷新的特点。[/color][/size]
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[size=3][color=#000000][b][color=blue][/color][color=navy]DRAM的分类：[/color][/b][/color][/size]
[size=3][color=#0000ff]      [color=#483d8b][b]1. [/b][b]SDRAM：[/b]Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。SDRAM属于通用DRAM的范畴。其发展已历经四代：[/color][/color][/size]
[size=3][color=#0000ff][color=black]第一代：SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM) 早期的内存大部分属于此类，其时钟频率就是数据存储的频率[/color][/color][/size]
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[size=3][color=#000000]第二代：DDR SDRAM(Double Data Rate  SDRAM) 一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。当下的内存大多是DDR的)[/color][/size]
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[size=3][color=#000000]第三代：DDR2 SDRAM(Double Data Rate  II SDRAM) 虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写[/color][/size][size=3][color=#000000]数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。当前比较好的内存以及显存多位DDR2的。[/color][/size]
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[size=3][color=#000000]第四代：DDR3 SDRAM(Double Data Rate  III SDRAM) 针对[url=http://baike.baidu.com/view/7764.htm][color=#0000ff]Windows Vista[/color][/url]的新一代内存技术（目前主要用于显卡内存），频率在800M以上。8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，如DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。[/color][/size]
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[align=left][size=3][color=darkslateblue]      [b]2.[/b] [b]RLDRAM/RLDRAM II：[/b]短时延DRAM存储器，主要应用于高带宽的高速网络和通信系统等。属于高性能DRAM的范畴。[/color][/size][/align][align=left][size=3][color=darkslateblue]            [color=black]RLDRAM II产品速度为400MHz，是第二代DDR SDRAM，最初由Infineon开发，后来Micron获得了许可。双方称，联合开发架构可保证标准性、产品有多个来源以及功能兼容性。 [/color][/align][color=black]RLDRAM II 具有8个存储体，为高速应用进行了优化，峰值带宽为28.8Gb/s。它采用36位接口和400MHz系统时钟。另外，它在较高数据吞吐量时还具有较低的时延和20ns的随机周期。RLDRAM II能使高速以太网和下一代网络系统获得高达10Gb/s到40Gb/s的数据速率。RLDRAM II器件有三种配置:8Meg×36、16Meg×18和32Meg×9。[/color]
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[/color][/size][size=3][color=#483d8b]      [b]3.[/b] [b]FCRAM/FCRAM II：[/b]快速循环动态存储器，是由富士通和东芝联合开发的内存技术，数据吞吐速度可超过普通SDRAM的4倍。主要用于高速网络，通信设备。属于高性能DRAM的范畴。[/color][/size]

[size=3][color=#000000][size=12pt][color=darkred][b]MRAM：[/b][/color][/size][/color][/size][size=3][size=12pt][font=Verdana][color=darkslateblue]Magnetoresistive Random Access Memory（磁性随机访问存储器），被认为是下一代的存储器，与SRAM相比，MRAM具有非易失性，而且功耗仅为前者的1/2，采用MRAM的PC从理论上可以从关机状态瞬间启动并进入桌面。这种存储器目前还处于研究阶段。距离民用不知还有多久...[/color][/font][/size][/size][size=3][size=12pt][font=Verdana][color=#483d8b][size=3][color=darkred]
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[size=3][color=darkred][size=12pt][b]CAM：[/b][color=#483d8b]内容可寻址存储器CAM（Content-Addressable Memory）是以内容进行寻址的存储器，是一种特殊的存储阵列RAM，它的主要工作机制就是将一个输入数据项与存储在CAM中的所有数据项自动同时进行比较，判别该输入数据项与CAM中存储的数据项是否相匹配，并输出该数据项对应的匹配信息，从本质上讲是一种基于RAM技术的特殊存储器。(为便于理解，可想成是输入数据来查询地址)[/color][/size][/color][/size]
[size=3][size=12pt][color=black]美Motorola公司的CAM芯片[/color][color=black]MCM[/color][color=black]69C232在市场上是性价比较高的产品，因而被广泛地应用于网络通信、模式识别等领域，其用于数据检索的优势是软件无法比拟的，可以极大地提高系统性能。[/color][/size][/size][/color]
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[/font][/size][/size][color=black][size=3][color=darkred][b]Flash&EEPROM：[/b][/color][color=darkslateblue]Flash即“闪存”，全名应为Flash Memory(最为常见的是U盘和各类记忆棒)[/color][/size][/color]
[size=3][color=darkslateblue]                             EEPROM就是电擦写可编程只读存储器(Electric Erasable Programmable ROM)[/color][/size]
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[size=3][color=#000000]  Flash是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。在FPGA的设计应用中(特指掉电会丢失信息的基于SRAM工艺的FPGA，部分基于Flash工艺的FPGA掉电仍能保持信息)，由于FPGA芯片所实现的电路逻辑是以特定文件的形式下载进去的，因此每次上电时，FPGA都需要从与其连接的Flash或者EEPROM中加载代码以实现对应的逻辑电路--这一步叫做FPGA的配置(configuration)。[/color][/size]
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[size=3][color=#000000][/color][color=navy][b]Flash的分类[/b][/color][/size]
[size=3][color=#000080]  [/color][color=black][color=red]NOR[/color]和[color=red]NAND[/color]是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻[size=12pt]底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调[/size][size=12pt]降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有[/size][size=12pt]相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。[/size][/color][/size]
[size=3][color=black][size=12pt]  NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像[url=http://baike.baidu.com/view/1082.htm][color=#0000ff]内存[/color][/url]，有独立的[url=http://baike.baidu.com/view/706909.htm][color=#0000ff]地址线[/color][/url]和[url=http://baike.baidu.com/view/20187.htm][color=#0000ff]数据线[/color][/url]，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像[url=http://baike.baidu.com/view/4480.htm][color=#0000ff]硬盘[/color][/url]，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。[/size][/color][/size]

[[i] 本帖最后由 BourneJason 于 2007-12-10 22:12 编辑 [/i]]

楼主是搞硬件的吧，有空交流一下吧:y好舒服;

@_@ 晕了。。。。。。

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嗯，我是搞硬件的。这些东西我是实际接触中也感到比较乱，所以边学边总结了一下，呵呵。有啥问题可以交流，么问题:y耍酷;